一種LED外延結(jié)構(gòu)及其制作方法、懸掛式芯片結(jié)構(gòu)及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910885321.7 申請日 -
公開（公告）號 CN110660887A 公開（公告）日 2020-01-07
申請公布號 CN110660887A 申請公布日 2020-01-07
分類號 H01L33/00（2010.01）; H01L33/20（2010.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 席慶男; 許南發(fā); 王曉慧; 李志 申請（專利權(quán)）人 元旭半導(dǎo)體科技（天津）有限公司
代理機構(gòu) 濟南誠智商標(biāo)專利事務(wù)所有限公司 代理人 楊筠
地址 230000 安徽省合肥市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)天門路以西,錦繡大道以南天門湖工業(yè)園1幢廠房2層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于LED芯片技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種LED外延結(jié)構(gòu)及其制作方法、懸掛式芯片結(jié)構(gòu)及其制作方法，LED外延結(jié)構(gòu)的制作方法包括：提供一襯底，在所述襯底上生長一N型的第一GaN外延層；在所述第一GaN外延層上作出溝槽，形成具有槽面和梁面的外延結(jié)構(gòu)層；在所述槽面上沉積一層覆蓋所述槽面的二氧化硅層或氮化硅層；在所述第一GaN外延層的上方生長一與所述梁面相接的第二GaN外延層；在所述第二GaN外延層的上方依次生長量子阱層和P型GaN層。本發(fā)明能夠獲得懸掛于襯底之上的LED芯片結(jié)構(gòu)，進而實現(xiàn)散熱性好、光電性能穩(wěn)定好、壽命長的微小型薄膜芯片的生產(chǎn)，同時能夠有效減少芯片加工工藝流程，提高LED芯片的生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。