絕緣柵雙極型晶體管及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610559805.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN106024874A 公開（公告）日 2016-10-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN106024874A 申請(qǐng)公布日 2016-10-12
分類號(hào) H01L29/739(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡舜濤;張杰;肖彩華 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海源翌吉電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京金信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉鋒;田菁
地址 200122 上海市浦東新區(qū)蔡倫路1690號(hào)2幢501室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 絕緣柵雙極型晶體管及其制造方法。本發(fā)明提供了一種IGBT及其制造方法，該IGBT包括：具有第一導(dǎo)電類型的襯底；具有第二導(dǎo)電類的基區(qū)，其形成于襯底的上表面；具有第一導(dǎo)電類型的發(fā)射區(qū)，其摻雜濃度大于襯底的摻雜濃度，形成于基區(qū)的上表面；發(fā)射極，形成于發(fā)射區(qū)的上表面；溝槽，其從襯底的上表面垂直延伸到襯底的中部，并與基區(qū)間隔設(shè)置，溝槽由多晶硅填充形成柵電極，多晶硅始于溝槽的底部并止于基區(qū)的上表面，多晶硅與襯底之間、以及多晶硅與基區(qū)之間形成有柵極氧化層；絕緣層，形成于柵電極的上表面；集電極區(qū)，形成于襯底的下表面；集電極，形成于集電極區(qū)的下表面。本發(fā)明可提高電流驅(qū)動(dòng)能力，減小柵極溝道長(zhǎng)度，把碳化硅?氧化層界面態(tài)對(duì)溝道電子遷移率的變小的影響減至最小。