溝槽絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610124586.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN105789269A 公開(kāi)（公告）日 2016-07-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN105789269A 申請(qǐng)公布日 2016-07-20
分類(lèi)號(hào) H01L29/06(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 張杰;肖彩華 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 上海源翌吉電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海金盛協(xié)力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王松
地址 201205 上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)蔡倫路1690號(hào)2幢501室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明揭示了一種溝槽絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法，所述溝槽絕緣柵雙極型晶體管IGBT包括：N?型基區(qū)、P型基區(qū)、N+緩沖層、背P+發(fā)射區(qū)、N+集電區(qū)、柵氧化層、多晶柵、集電極、發(fā)射極、柵電極、P+型基區(qū)、載流子存儲(chǔ)層、P?型浮空層；所述N?型基區(qū)、N+緩沖層、背P+發(fā)射區(qū)、集電極自上而下依次設(shè)置；所述N?型基區(qū)的上部周邊設(shè)有槽體，槽體內(nèi)設(shè)置P?型浮空層。本發(fā)明提出的溝槽絕緣柵雙極型晶體管及其制備方法，在傳統(tǒng)的溝槽IGBT結(jié)構(gòu)中引入載流子存儲(chǔ)層存儲(chǔ)層可以增大電子擴(kuò)散，避免電流集中，增強(qiáng)電導(dǎo)調(diào)制；同時(shí)在溝槽柵的下端又附加了一層P?型浮空層，可以起到分壓的作用，提到器件的耐壓。