一種小體積高亮度氮化鎵發(fā)光二極管芯片的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200410097276.2 申請日 -
公開（公告）號 CN100536178C 公開（公告）日 2009-09-02
申請公布號 CN100536178C 申請公布日 2009-09-02
分類號 H01L33/00(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 肖志國;王省蓮;馬欣榮;陳向東 申請（專利權(quán)）人 錦州銀行股份有限公司大連分行
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 116025遼寧省大連市高新園區(qū)七賢嶺高能街1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了制作一種小體積高亮度，具有特殊表面幾何圖形的氮化鎵發(fā)光二極管芯片的制造方法，這種小芯片面積為0.15×0.15mm2～0.3×0.3mm2；厚度50±10μm～80±10μm；P電極為圓形，直徑φ為60mm～110mm；N電極為水滴狀幾何圖形，直徑φ為60mm～110mm。通過(一)外延生長、(二)蒸發(fā)透明電極、(三)刻蝕臺階、(四)鈍化、(五)P、N電極制作、(六)退火、(七)參數(shù)測試、(八)研磨、切割、(九)測試分類九大工藝步驟制作一種的小芯片。本發(fā)明制作的芯片具有體積小，亮度高，生產(chǎn)效率高，低成本，應(yīng)用范圍寬等優(yōu)點。