一種芯片啟動方法和一種FLASH芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710420897.7 申請日 -
公開（公告）號 CN109003634B 公開（公告）日 2021-09-24
申請公布號 CN109003634B 申請公布日 2021-09-24
分類號 G11C5/14;G11C16/30 分類 信息存儲;
發(fā)明人 胡俊;劉銘 申請（專利權(quán)）人 合肥格易集成電路有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 莎日娜
地址 230601 安徽省合肥市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)明珠廣場1幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請實施例提供了一種芯片啟動方法和一種FLASH芯片，該方法包括：當(dāng)電源電壓輸入時，通過與電源電壓對應(yīng)的快速基準(zhǔn)電路輸出初始參考電壓，以及通過帶隙基準(zhǔn)電路輸出基準(zhǔn)電壓；其中，快速基準(zhǔn)電路輸出初始參考電壓所用的時間小于帶隙基準(zhǔn)電路輸出基準(zhǔn)電壓所用的時間；將初始參考電壓輸入緩沖器，以啟動緩沖器，并通過緩沖器按序啟動至少一個電荷泵和存儲陣列；當(dāng)帶隙基準(zhǔn)電路輸出基準(zhǔn)電壓后，將輸入給緩沖器的初始參考電壓切換為基準(zhǔn)電壓。本申請實施例在FLASH芯片中新增快速基準(zhǔn)電路，通過該電路輸出的初始參考電壓啟動緩沖器、電荷泵和存儲陣列，從而啟動FLASH芯片，大大縮短了芯片的啟動時間，提高了芯片讀寫數(shù)據(jù)的效率。