一種寬禁帶半導體碳化硅功率模塊高溫封裝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810473957.6 申請日 -
公開（公告）號 CN108682655B 公開（公告）日 2020-01-17
申請公布號 CN108682655B 申請公布日 2020-01-17
分類號 H01L23/02;H01L23/08;H01L25/11 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張浩 申請（專利權）人 江蘇芯澄半導體有限公司
代理機構(gòu) 南京利豐知識產(chǎn)權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 任立
地址 212200 江蘇省鎮(zhèn)江市揚中市三茅街道春柳北路888號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種寬禁帶半導體碳化硅功率模塊高溫封裝方法，涉及碳化硅功率模塊封裝技術領域。該一種寬禁帶半導體碳化硅功率模塊高溫封裝方法，包括，S1：將環(huán)氧樹脂材料調(diào)制好后，放入模具中定型，脫模后得到殼體；S2：在碳化硅功率器件的外殼上開孔，在孔內(nèi)放置彈性件；S3：將碳化硅功率器件按照隔離襯板上預留的安裝位置逐一對位安裝；S4：將上殼體和下殼體向隔離襯板靠攏，殼體扣合后將螺栓擰緊在螺柱上完成封裝，彈性件在封裝后處于壓縮狀態(tài)。本方案通過預制殼體對碳化硅功率器件進行定位，使外力傳遞到碳化硅功率器件之前得到一個緩沖，從而更好的保護封裝體內(nèi)的碳化硅功率器件。