一種寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅功率器件封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810475345.0 申請日 -
公開（公告）號 CN108615712A 公開（公告）日 2018-10-02
申請公布號 CN108615712A 申請公布日 2018-10-02
分類號 H01L23/367;H01L23/373;H01L21/48 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張浩 申請（專利權(quán)）人 江蘇芯澄半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 南京利豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 任立
地址 212200 江蘇省鎮(zhèn)江市揚中市三茅街道春柳北路888號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅功率器件封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，涉及碳化硅功率器件封裝技術(shù)領(lǐng)域。包括正電極和負(fù)電極，所述正電極和負(fù)電極之間設(shè)有碳化硅功率器件，所述負(fù)電極下方設(shè)有封裝基板，所述封裝基板外側(cè)設(shè)有外殼，所述封裝基板下方設(shè)有散熱器，所述封裝基板和負(fù)電極之間設(shè)有導(dǎo)熱層；所述導(dǎo)熱層包括數(shù)個導(dǎo)熱排，每個導(dǎo)熱排包括多個相互抵觸的導(dǎo)熱金屬球，所述導(dǎo)熱金屬球一端與負(fù)電極粘結(jié)，另一端與封裝基板粘結(jié)，且相鄰導(dǎo)熱排的所述導(dǎo)熱金屬球之間相互抵觸，并形成散熱間隙。本發(fā)明可以快速有效的實現(xiàn)對器件內(nèi)部進(jìn)行散熱，使內(nèi)部工作環(huán)境溫度較低，從而提高使用壽命。