一種寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅功率模塊高溫封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810473913.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN108649022B 公開(kāi)（公告）日 2020-04-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN108649022B 申請(qǐng)公布日 2020-04-10
分類號(hào) H01L23/373;H01L23/367;H01L23/31;H01L23/40 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張浩 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇芯澄半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 任立
地址 212200 江蘇省鎮(zhèn)江市揚(yáng)中市三茅街道春柳北路888號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅功率模塊高溫封裝結(jié)構(gòu)，涉及碳化硅功率模塊封裝技術(shù)領(lǐng)域，包括碳化硅功率器件和連接各碳化硅功率器件的排線組，還包括隔離襯板，碳化硅功率器件穿設(shè)在隔離襯板上，且每?jī)蓚€(gè)碳化硅功率器件為一組，每組兩碳化硅功率器件的接線通道相對(duì)設(shè)置，隔離板外設(shè)有扣合碳化硅功率器件的殼體，殼體包括分別設(shè)于隔離板兩側(cè)的上殼體和下殼體。本發(fā)明通過(guò)預(yù)制殼體對(duì)碳化硅功率器件進(jìn)行定位，使并聯(lián)的碳化硅功率器件整體更穩(wěn)定，機(jī)械強(qiáng)度更高。