一種寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅功率模塊高溫封裝方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810473957.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN108682655A 公開(kāi)（公告）日 2018-10-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN108682655A 申請(qǐng)公布日 2018-10-19
分類號(hào) H01L23/02;H01L23/08;H01L25/11 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張浩 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇芯澄半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 任立
地址 212200 江蘇省鎮(zhèn)江市揚(yáng)中市三茅街道春柳北路888號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅功率模塊高溫封裝方法，涉及碳化硅功率模塊封裝技術(shù)領(lǐng)域。該一種寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅功率模塊高溫封裝方法，包括，S1：將環(huán)氧樹(shù)脂材料調(diào)制好后，放入模具中定型，脫模后得到殼體；S2：在碳化硅功率器件的外殼上開(kāi)孔，在孔內(nèi)放置彈性件；S3：將碳化硅功率器件按照隔離襯板上預(yù)留的安裝位置逐一對(duì)位安裝；S4：將上殼體和下殼體向隔離襯板靠攏，殼體扣合后將螺栓擰緊在螺柱上完成封裝，彈性件在封裝后處于壓縮狀態(tài)。本方案通過(guò)預(yù)制殼體對(duì)碳化硅功率器件進(jìn)行定位，使外力傳遞到碳化硅功率器件之前得到一個(gè)緩沖，從而更好的保護(hù)封裝體內(nèi)的碳化硅功率器件。