一種寬禁帶半導體碳化硅功率模塊高溫封裝結(jié)構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810473913.3 申請日 -
公開（公告）號 CN108649022A 公開（公告）日 2018-10-12
申請公布號 CN108649022A 申請公布日 2018-10-12
分類號 H01L23/373;H01L23/367;H01L23/31;H01L23/40 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張浩 申請（專利權）人 江蘇芯澄半導體有限公司
代理機構 南京利豐知識產(chǎn)權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 任立
地址 212200 江蘇省鎮(zhèn)江市揚中市三茅街道春柳北路888號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種寬禁帶半導體碳化硅功率模塊高溫封裝結(jié)構，涉及碳化硅功率模塊封裝技術領域，包括碳化硅功率器件和連接各碳化硅功率器件的排線組，還包括隔離襯板，碳化硅功率器件穿設在隔離襯板上，且每兩個碳化硅功率器件為一組，每組兩碳化硅功率器件的接線通道相對設置，隔離板外設有扣合碳化硅功率器件的殼體，殼體包括分別設于隔離板兩側(cè)的上殼體和下殼體。本發(fā)明通過預制殼體對碳化硅功率器件進行定位，使并聯(lián)的碳化硅功率器件整體更穩(wěn)定，機械強度更高。