一種用于晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的透明導(dǎo)電氧化物薄膜及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510256552.3 申請日 -
公開（公告）號 CN104900727A 公開（公告）日 2015-09-09
申請公布號 CN104900727A 申請公布日 2015-09-09
分類號 H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭錚;李媛媛;黃海賓;劉超;張聞斌;周國平;彭德香;周浪 申請（專利權(quán)）人 上海中智光纖通訊有限公司
代理機構(gòu) 上海泰能知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 代理人 上海中智光纖通訊有限公司;中智（泰興）電力科技有限公司
地址 201108 上海市閔行區(qū)金都路4299號208室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種用于晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的透明導(dǎo)電氧化物薄膜及其制備方法，所述透明導(dǎo)電氧化物薄膜為氧化銦鈦ITIO薄膜，其中鈦與銦的原子個數(shù)比為0.2-5.0％。制備方法包括：采用磁控濺射法在依次沉積了本征鈍化層和重摻雜非晶硅薄膜且制成了金字塔絨面的基底上沉積ITIO薄膜。本發(fā)明相比于ITO和IWO薄膜，同等條件下可減小異質(zhì)結(jié)太陽電池的串聯(lián)電阻和透明導(dǎo)電與氧化物層的遮光損失，從而提高太陽電池的開路電壓、填充因子、短路電流和轉(zhuǎn)換效率，具備良好的應(yīng)用前景。