一種異質(zhì)結(jié)晶硅太陽電池鈍化層的熱處理方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210042844.3 申請日 -
公開（公告）號 CN102544234B 公開（公告）日 2016-02-17
申請公布號 CN102544234B 申請公布日 2016-02-17
分類號 H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃海賓;王巍;李媛媛;周浪;魏秀琴;周潘兵 申請（專利權(quán)）人 上海中智光纖通訊有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海泰能知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 代理人 黃志達(dá);謝文凱
地址 201108 上海市閔行區(qū)金都路4299號208室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種異質(zhì)結(jié)晶硅太陽電池鈍化層的熱處理方法，包括：采用PECVD法或熱絲CVD法制備異質(zhì)結(jié)晶硅太陽電池鈍化層薄膜，以PECVD法中產(chǎn)生的含氫等離子體的氫氣氣氛，對鈍化層的硅片于200～300℃處理1min～60min；或者是以熱絲CVD法產(chǎn)生的含氫原子的氫氣氣氛，對鈍化層的硅片于200～300℃處理1min～60min。本發(fā)明可改善鈍化層對硅片表面的鈍化效果，從而提高太陽電池的轉(zhuǎn)換效率，并且相比于常規(guī)的惰性氣體氣氛、氫氣氣氛或真空熱處理工藝，可大大縮短熱處理工藝時間，提高生產(chǎn)效率，具有良好的應(yīng)用前景。