一種異質(zhì)結(jié)晶硅太陽電池鈍化層的制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201210042843.9 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN102593253B | 公開（公告）日 | 2015-05-06 |
| 申請公布號 | CN102593253B | 申請公布日 | 2015-05-06 |
| 分類號 | H01L31/18(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 黃海賓;李媛媛;彭錚;周浪;魏秀琴;周潘兵 | 申請（專利權(quán)）人 | 上海中智光纖通訊有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 上海泰能知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人 | 黃志達;謝文凱 |
| 地址 | 201108 上海市閔行區(qū)金都路4299號208室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種異質(zhì)結(jié)晶硅太陽電池鈍化層的制備方法，包括：采用熱絲化學(xué)氣相沉積法，以硅烷作為硅源，以氨氣作為氮源，制得氫化氮化硅層；或者，采用熱絲化學(xué)氣相沉積法，以硅烷作為硅源，以氨氣作為氮源，以氧化氮或者二氧化碳作為氧源，制得氫化氮氧化硅層。本發(fā)明具有氣源利用率高，生長速率快，界面缺陷態(tài)少等特點，制備的薄膜的鈍化效果優(yōu)于等離子輔助化學(xué)氣相沉積法制備的薄膜，有利于異質(zhì)結(jié)電池效率的提高。 |
