一種半導體封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202023348107.5 申請日 -
公開（公告）號 CN213905354U 公開（公告）日 2021-08-06
申請公布號 CN213905354U 申請公布日 2021-08-06
分類號 H01L25/065（2006.01）I;H01L21/98（2006.01）I;H01L23/488（2006.01）I;H01L23/538（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王國軍;曹立強;嚴陽陽 申請（專利權(quán)）人 上海先方半導體有限公司
代理機構(gòu) 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 薛異榮
地址 214000江蘇省無錫市新區(qū)太湖國際科技園菱湖大道200號中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園D1棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種半導體封裝結(jié)構(gòu)，包括：第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)層；第一芯片層，第一芯片層位于第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)層一側(cè)表面，第一芯片層包括多個第一芯片，第一芯片層中的第一芯片均正面朝向第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)層且與第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)層電性連接；第二芯片層，第二芯片層位于第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)層背向第一芯片層一側(cè)表面，第二芯片層包括多個第二芯片，第二芯片層中的第二芯片均正面朝向第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)層且與第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)層電性連接。第一芯片層和第二芯片層中的第二芯片均正面朝向第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)層，通過第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)層實現(xiàn)對面焊接。需要對接的芯片對面直接焊接，可有效減少線路傳輸損耗，相比于錫球焊接，芯片之間的第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)層的厚度相對較薄，可以有效降低封裝結(jié)構(gòu)的整體厚度。