一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110379707.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113130316A 公開（公告）日 2021-07-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN113130316A 申請(qǐng)公布日 2021-07-16
分類號(hào) H01L21/3065;H01L21/308 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 范俊;曹立強(qiáng) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海先方半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京三聚陽光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 薛異榮
地址 214000 江蘇省無錫市新吳區(qū)太湖國際科技園菱湖大道200號(hào)中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園D1棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法包括：提供晶圓組，晶圓組包括第一晶圓至第N晶圓，N為大于等于3的整數(shù)；在第k晶圓的正面的部分區(qū)域嵌入第k阻擋層，k為大于等于3且小于等于N的整數(shù)；在第一晶圓的背面的部分區(qū)域嵌入第一阻擋層；形成第k2阻擋層之后，鍵合第k2晶圓的正面和第k1晶圓的背面,k2?k1＝1，k2為大于等于3且小于等于N的整數(shù)；形成第一阻擋層之后，鍵合第一晶圓的背面和第二晶圓的正面；以第一阻擋層、以及第三阻擋層至第N阻擋層為掩膜，從第一晶圓的正面刻蝕第一晶圓至第N晶圓，以在第一晶圓至第N晶圓中形成多臺(tái)階凹槽。多臺(tái)階凹槽的底部平整，形貌良好，精度較高。