一種紅外激光器制備多晶硅薄膜的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710034804.7 申請日 -
公開（公告）號 CN107910242A 公開（公告）日 2018-04-13
申請公布號 CN107910242A 申請公布日 2018-04-13
分類號 H01L21/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭小偉;徐文龍;楊承;李紹榮;鄒渝 申請（專利權(quán)）人 南京新創(chuàng)力光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 康瀟
地址 210038 江蘇省南京市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)恒達(dá)路3號科創(chuàng)基地502室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于多晶硅領(lǐng)域，具體涉及一種紅外激光制備多晶硅薄膜的方法，在玻璃襯底上沉積氧化硅、氮化硅等形成緩沖層，在緩沖層上沉積非晶硅薄膜，使用紅外連續(xù)激光掃描非晶硅薄膜，可以得到晶粒尺寸大，缺陷少的高質(zhì)量多晶硅薄膜。