一種高質(zhì)量多晶硅薄膜的制備方法和制備裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710499560.X 申請日 -
公開（公告）號 CN109137063A 公開（公告）日 2019-01-04
申請公布號 CN109137063A 申請公布日 2019-01-04
分類號 C30B28/04;C30B29/06;C30B30/00 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 郭小偉;王大帥;楊承;李紹榮;鄒渝 申請（專利權(quán)）人 南京新創(chuàng)力光電科技有限公司
代理機構(gòu) 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 滕詣迪
地址 210038 江蘇省南京市南京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)恒達路3號科創(chuàng)基地502室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開的一種高質(zhì)量多晶硅薄膜的制備方法和制備裝置，包括：提供襯底，在所述襯底上設(shè)置非晶硅薄膜，在所述非晶硅薄膜上設(shè)置單晶硅薄膜，利用激光束透過所述襯底對所述非晶硅薄膜進行掃描，所述激光束到達所述非晶硅薄膜時，所述非晶硅薄膜上與所述單晶硅薄膜相接觸的部位最先被所述激光束掃描到，以所述單晶硅薄膜作為籽晶層，所述非晶硅薄膜在所述激光束的作用下熔融再結(jié)晶，形成多晶硅薄膜；本發(fā)明制備出的多晶硅的質(zhì)量趨近于單晶硅，適用于半導體材料制造領(lǐng)域。