背照式圖像傳感器及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410193019.2 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN103928487B 公開（公告）日 2016-11-16
申請公布號(hào) CN103928487B 申請公布日 2016-11-16
分類號(hào) H01L27/146(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙立新;李文強(qiáng);李杰;陳儉 申請（專利權(quán)）人 格科微電子（浙江）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 吳圳添;駱蘇華
地址 201203 上海市浦東新區(qū)盛夏路560弄2號(hào)樓11F
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種背照式圖像傳感器及其形成方法。其中，所述背照式圖像傳感器包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括第一區(qū)域和至少一個(gè)第二區(qū)域；光電轉(zhuǎn)換元件，位于所述第一區(qū)域中；浮置擴(kuò)散區(qū)，部分位于一個(gè)所述第二區(qū)域中，且部分位于所述第一區(qū)域中，所述第二區(qū)域的上表面高于所述第一區(qū)域的上表面；轉(zhuǎn)移晶體管，包括位于所述半導(dǎo)體襯底中的源極和漏極，所述源極和所述漏極分別與所述光電轉(zhuǎn)換元件和所述浮置擴(kuò)散區(qū)電連接；源跟隨晶體管，包括位于所述半導(dǎo)體襯底上的柵極，所述柵極與所述浮置擴(kuò)散區(qū)電連接；復(fù)位晶體管，包括位于所述半導(dǎo)體襯底中的漏極，所述漏極與所述浮置擴(kuò)散區(qū)電連接。所述背照式圖像傳感器的性能提高，成本降低。