雙淺溝槽隔離的形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410457676.3 申請日 -
公開（公告）號 CN104201146B 公開（公告）日 2016-11-23
申請公布號 CN104201146B 申請公布日 2016-11-23
分類號 H01L21/76(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王永剛;李杰 申請（專利權(quán)）人 格科微電子（浙江）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 吳圳添;駱蘇華
地址 201203 上海市浦東新區(qū)盛夏路560弄2號樓11F
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種雙淺溝槽隔離的形成方法，包括：在基底表面形成氧化層和硬掩膜層，所述基底具有第一區(qū)域與第二區(qū)域；刻蝕所述第一區(qū)域上的所述硬掩膜層和氧化層，直至暴露出所述基底表面，被暴露的所述基底表面形成第一部分區(qū)域；以所述硬掩膜層為掩膜進(jìn)一步刻蝕所述第一部分區(qū)域形成第一淺溝槽；保護(hù)所述第一淺溝槽，并刻蝕所述第二區(qū)域上的所述硬掩膜層和氧化層，直至暴露出所述基底表面，被暴露的所述基底表面形成第二部分區(qū)域；以所述硬掩膜層為掩膜進(jìn)一步刻蝕所述第一淺溝槽與所述第二部分區(qū)域，直至第一淺溝槽形成第三淺溝槽，并形成所述第二區(qū)域的第二淺溝槽。采用所述方法形成的雙淺溝槽隔離形狀穩(wěn)定，均一性高，形貌好。