一種過腐蝕控深方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910513984.6 申請日 -
公開（公告）號 CN110167272B 公開（公告）日 2021-07-27
申請公布號 CN110167272B 申請公布日 2021-07-27
分類號 H05K3/00（2006.01）I;H05K3/42（2006.01）I;H05K3/06（2006.01）I 分類 其他類目不包含的電技術(shù);
發(fā)明人 張長明;黃建國;王強;唐成華 申請（專利權(quán)）人 深圳市博敏電子有限公司
代理機構(gòu) 北京中濟緯天專利代理有限公司 代理人 陸薇薇
地址 518103廣東省深圳市寶安區(qū)福永街道白石廈龍王廟工業(yè)區(qū)21棟、22棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種過腐蝕控深方法，該方法通過在孔金屬化后的通孔的單面或者雙面做一個保護孔邊緣銅層的環(huán)形錫層，然后按照蝕刻速率控制蝕刻深度，對已電鍍錫的待過腐蝕控深孔做過腐蝕，直至孔內(nèi)一端或兩端的銅被腐蝕到所需要的深度。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明能做到針對性控深，控深精度高，而且由于不受壓合均勻性和板翹的干擾，因此批量生產(chǎn)一致性好，良率高，更容易檢測和控制。