改善HIT電池電極接觸電阻和電導(dǎo)率的方法、電極制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911044429.X 申請日 -
公開（公告）號 CN110854216B 公開（公告）日 2021-10-01
申請公布號 CN110854216B 申請公布日 2021-10-01
分類號 H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張磊;段晶晶;郭明波 申請（專利權(quán)）人 上海潤勢科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海海鈞知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 姜波
地址 201104上海市閔行區(qū)春申路1955號13幢204-4室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種改善HIT電池電極接觸電阻和電導(dǎo)率的方法、電極制作方法，包括：在硅片表面制作納米金屬層作為種子層，進(jìn)行第一熱處理，第一熱處理采用激光選區(qū)輻照，對種子層進(jìn)行掃描式輻照；在種子層表面包覆導(dǎo)電層漿料，導(dǎo)電層漿料將種子層完全覆蓋，不露出不漏出種子層，并與硅片表面TCO層接觸；將種子層覆蓋了導(dǎo)電層漿料后的硅片進(jìn)行第二熱處理，使種子層表面的導(dǎo)電漿料固化，與種子層一起形成電極。本申請通過種子層第一熱處理+硅片第二熱處理的方式，可以顯著的降低接觸電阻，同時(shí)可以顯著的降低副柵線的電阻率，從而大幅度降低光生電流從HIT電池基體到主柵之間的傳導(dǎo)電阻。