一種高門檻高管壓降大功率二極管
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202021900031.X | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN212907714U | 公開（公告）日 | 2021-04-06 |
| 申請公布號 | CN212907714U | 申請公布日 | 2021-04-06 |
| 分類號 | H01L23/38(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 謝偉;葛洲;黎興源;黃珂;楊瑩冰;葛鐵軍;王益;張開元;耿星潔;周良;潘琪;周瑋;陳啟德 | 申請（專利權(quán)）人 | 珠海南自電氣系統(tǒng)工程有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都禾創(chuàng)知家知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 裴娟 |
| 地址 | 518026廣東省深圳市蓮花街道福中社區(qū)福中一路1016號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型涉及一種高門檻高管壓降大功率二極管，包括二極管芯片，二極管芯片下方設(shè)有第一隔離層，第一隔離層下方設(shè)有多組半導(dǎo)體PN結(jié)，半導(dǎo)體PN結(jié)包括一個(gè)N型半導(dǎo)體和一個(gè)P型半導(dǎo)體；N型半導(dǎo)體上端通過上導(dǎo)電層與同組P型半導(dǎo)體連接，下端通過下導(dǎo)電層與相鄰半導(dǎo)體PN結(jié)的P型半導(dǎo)體連接；半導(dǎo)體PN結(jié)下方設(shè)有第二隔離層；第二隔離層下方設(shè)有熱沉；左端半導(dǎo)體PN結(jié)中N型半導(dǎo)體的下端通過下導(dǎo)電層連接正散熱引腳；右端半導(dǎo)體PN結(jié)中P型半導(dǎo)體的下端通過下導(dǎo)電層連接負(fù)散熱引腳。本新型與二極管生產(chǎn)的IC工藝兼容，制冷密度大，無運(yùn)動部件散熱造成的部件磨損，而且結(jié)構(gòu)緊湊，有效提高集成度，并集成了熱沉增加了與外界環(huán)境的熱交換。?? |
