獲得高品級SiC晶須的分離工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN94117781.5 申請日 -
公開（公告）號 CN1048659C 公開（公告）日 2000-01-26
申請公布號 CN1048659C 申請公布日 2000-01-26
分類號 B03B7/00 分類 用液體或用風力搖床或風力跳汰機分離固體物料；從固體物料或流體中分離固體物料的磁或靜電分離；高壓電場分離〔5〕;
發(fā)明人 郭夢熊;徐樺;安征;陳材;任子敏;邵緒新;夏云凱 申請（專利權）人 北京維斯克復合材料技術有限責任公司
代理機構 三高專利事務所 代理人 吳鳳英
地址 100083北京市海淀區(qū)學院路丁11號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種從燒結的SiC晶須粗料中獲得高品級SiC晶須產(chǎn)品的分離工藝，其特征在于經(jīng)粉碎的物料兩次調(diào)漿后進行反浮選，其尾礦再進行旋流器分離，或者采用正浮選處理，中礦采用旋流器組或快速搖床處理，該工藝過程進行合理組合可用于易處理和難處理物料的分離，分別得到高品級SiC-w產(chǎn)品，其品級達９７—９８％，平均直徑１．０，１．５和≥３．０μm，為高科技領域復合材料提供優(yōu)質(zhì)增強劑，該工藝分離效果好，節(jié)省藥劑，設備互換性好，操作簡單。