用于化學氣相沉積裝置的托盤和化學氣相沉積裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201922459233.9 申請日 -
公開（公告）號 CN211570766U 公開（公告）日 2020-09-25
申請公布號 CN211570766U 申請公布日 2020-09-25
分類號 C23C16/458(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 姜勇;汪國元 申請（專利權(quán)）人 南昌中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
代理機構(gòu) 上海元好知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司;南昌中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
地址 201201上海市浦東新區(qū)金橋出口加工區(qū)（南區(qū)）泰華路188號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種用于化學氣相沉積裝置的托盤和化學氣相沉積裝置，其中，所述托盤包括：托盤，可沿其中心軸轉(zhuǎn)動，設(shè)有若干個基片槽，所述基片槽用于容納待處理基片，每個所述基片槽包括遠離所述中心軸的遠心段、靠近所述中心軸的近心段和位于所述遠心段和近心段之間的第一補償段，所述基片槽具有槽中心，所述第一補償段到槽中心的距離為第一距離，所述近心段到槽中心的距離為第二距離，所述第一距離大于第二距離。利用所述化學氣相沉積裝置有利于提高在晶圓邊緣生長外延層的一致性。??