托盤及其金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020138314.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN211445893U | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-09-08 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211445893U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-08 |
| 分類號(hào) | C23C16/458(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 胡建正;陳耀;姜勇;郭世平 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 南昌中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海元好知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司;南昌中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 |
| 地址 | 201201上海市浦東新區(qū)金橋出口加工區(qū)（南區(qū)）泰華路188號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種托盤以及金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，托盤包括：托盤，可沿其中心軸轉(zhuǎn)動(dòng)，具有托盤面，設(shè)有若干個(gè)凹陷于托盤面的基片槽，每個(gè)基片槽內(nèi)設(shè)置若干個(gè)支撐臺(tái)，支撐臺(tái)用于支撐待處理基片，支撐臺(tái)的上表面與托盤面之間的高度差使得當(dāng)待處理基片置于所述支撐臺(tái)，待處理基片的上表面到支撐臺(tái)對(duì)應(yīng)的上表面有第一距離，托盤面到支撐臺(tái)對(duì)應(yīng)的上表面具有第二距離，第一距離減去第二距離的差值為：?80微米～80微米。包含托盤的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器不僅能夠防止待處理基片飛出，還能提高待處理基片表面氣流和溫度的一致性，從而提高待處理基片表面的外延層波長(zhǎng)的均勻性，特別是能滿足顯示器的性能要求。?? |
