一種MOCVD反應(yīng)器的處理方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201510083854.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN105986243B | 公開(kāi)（公告）日 | 2018-07-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN105986243B | 申請(qǐng)公布日 | 2018-07-24 |
| 分類(lèi)號(hào) | C23C16/44 | 分類(lèi) | 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 郭泉泳;杜志游 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 南昌中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海智信專(zhuān)利代理有限公司 | 代理人 | 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司;中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司;南昌中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 |
| 地址 | 201201 上海市浦東新區(qū)金橋出口加工區(qū)(南區(qū))泰華路188號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種MOCVD反應(yīng)器的處理方法，本發(fā)明通過(guò)在預(yù)處理階段循環(huán)執(zhí)行金屬有機(jī)氣體反應(yīng)。所述處理方法包括預(yù)處理流程和晶體生長(zhǎng)流程，其中預(yù)處理流程中包括金屬有機(jī)氣體反應(yīng)步驟和含氧氣體反應(yīng)步驟，交替執(zhí)行金屬有機(jī)氣體反應(yīng)步驟和含氧氣體反應(yīng)步驟，直到完成對(duì)反應(yīng)腔內(nèi)噴淋頭的預(yù)處理。其中預(yù)處理流程中，通過(guò)控制冷卻液供應(yīng)系統(tǒng)來(lái)控制噴淋頭具有第一溫度，在晶體生長(zhǎng)流程中噴淋頭具有第二溫度，第一溫度大于第二溫度。 |
