一種等離子處理裝置運(yùn)行方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510747995.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN106683969B 公開（公告）日 2018-09-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN106683969B 申請(qǐng)公布日 2018-09-11
分類號(hào) H01J37/32;H01L21/67 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫超;彭帆;倪圖強(qiáng) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南昌中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海信好專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司;中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司
地址 201201 上海市浦東新區(qū)金橋出口加工區(qū)(南區(qū))泰華路188號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種等離子處理裝置運(yùn)行方法，所述等離子處理裝置包括：反應(yīng)腔，位于反應(yīng)腔內(nèi)下方的基座，一個(gè)射頻電源連接到所述基座內(nèi)的電極，一個(gè)基片固定裝置設(shè)置于所述基座上，基片固定在所述基片固定裝置上方，一個(gè)聚焦環(huán)圍繞所述基片固定裝置且位于所述電極上方，一個(gè)加熱電源通過一個(gè)可控開關(guān)連接到加熱裝置，所述運(yùn)行方法包括：交替進(jìn)行的刻蝕步驟和清潔步驟，刻蝕步驟中執(zhí)行刻蝕工藝：斷開可控開關(guān)通入刻蝕氣體，施加具有第一功率的射頻功率到所述反應(yīng)腔；清潔步驟中，移除刻蝕完成的基片，通入含氧的清潔氣體，施加具有第二功率的射頻功率到所述反應(yīng)腔，導(dǎo)通所述可控開關(guān)使得加熱電路對(duì)聚焦環(huán)加熱；其中第一功率大于第二功率。