用于化學(xué)氣相沉積裝置的托盤和化學(xué)氣相沉積裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911405406.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113122825A 公開（公告）日 2021-07-16
申請公布號 CN113122825A 申請公布日 2021-07-16
分類號 C23C16/458（2006.01）I;C23C16/46（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 姜勇;汪國元 申請（專利權(quán)）人 南昌中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海元好知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 包姝晴;張靜潔
地址 201201上海市浦東新區(qū)金橋出口加工區(qū)（南區(qū)）泰華路188號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種用于化學(xué)氣相沉積裝置的托盤和化學(xué)氣相沉積裝置，其中，所述托盤包括：托盤，可沿其中心軸轉(zhuǎn)動，設(shè)有若干個基片槽，所述基片槽用于容納待處理基片，每個所述基片槽包括遠(yuǎn)離所述中心軸的遠(yuǎn)心段、靠近所述中心軸的近心段和位于所述遠(yuǎn)心段和近心段之間的第一補(bǔ)償段，所述基片槽具有槽中心，所述第一補(bǔ)償段到槽中心的距離為第一距離，所述近心段到槽中心的距離為第二距離，所述第一距離大于第二距離。利用所述化學(xué)氣相沉積裝置有利于提高在晶圓邊緣生長外延層的一致性。