化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器或外延層生長(zhǎng)反應(yīng)器及其支撐裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510488320.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN105088187B 公開（公告）日 2018-09-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN105088187B 申請(qǐng)公布日 2018-09-18
分類號(hào) C23C16/44;C23C16/458 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 尹志堯;姜勇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南昌中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海信好專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司;中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司;南昌中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
地址 201201 上海市浦東新區(qū)金橋出口加工區(qū)(南區(qū))泰華路188號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器或外延層生長(zhǎng)反應(yīng)器，包括一反應(yīng)腔，所述反應(yīng)腔內(nèi)設(shè)置至少一基片承載架和一用于支撐所述基片承載架的支撐裝置，所述基片承載架包括一第一表面和一第二表面，所述基片承載架的第二表面設(shè)置有至少一個(gè)向內(nèi)凹陷的凹進(jìn)部；所述支撐裝置包括：主軸部；與所述主軸部的一端相連接、并沿所述主軸部外圍向外延伸開來(lái)的支撐部，所述支撐部包括一支撐面；以及與所述主軸部相連接、并沿著向所述基片承載架的第一表面方向延伸一高度的插接部；所述支撐裝置的插接部可分離地插接于所述凹進(jìn)部?jī)?nèi)，從而使所述基片承載架放置于所述支撐裝置上并由其支撐。本發(fā)明的基片承載架在基片加工過(guò)程中能夠?qū)崿F(xiàn)平衡、可靠地旋轉(zhuǎn)。