一種晶圓刻蝕設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910790216.5 申請日 -
公開（公告）號 CN110634771B 公開（公告）日 2021-09-21
申請公布號 CN110634771B 申請公布日 2021-09-21
分類號 H01L21/67（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 汪洪安 申請（專利權(quán)）人 深圳市中科光芯半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京成實(shí)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 陳永虔
地址 518000 廣東省深圳市龍崗區(qū)龍城街道黃閣坑社區(qū)黃閣北路449號龍崗天安數(shù)碼創(chuàng)新園二號廠房B401-W
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種晶圓刻蝕設(shè)備，其結(jié)構(gòu)包括移動輪、刻蝕箱、箱蓋、顯示屏、控制箱，刻蝕箱底部安裝有移動輪，刻蝕箱頂部設(shè)有箱蓋，控制箱設(shè)在箱蓋側(cè)面并連接在刻蝕箱頂部，控制箱表面安裝有顯示屏，刻蝕箱內(nèi)設(shè)有載物臺、第一夾具、第二夾具、噴射器、氣缸、Y軸導(dǎo)軌、X軸導(dǎo)軌，載物臺連接在箱蓋底部，載物臺的底部兩側(cè)分別安裝有第一夾具、第二夾具，噴射器設(shè)在載物臺下方，噴射器底部與氣缸相連接，氣缸安裝在Y軸導(dǎo)軌上，本發(fā)明的有益效果是：通過噴射吸回一系列快速操作，能夠減少蝕刻液的停留時(shí)間，避免蝕刻液的四處流動，且從下往上射出，能夠減少蝕刻液向四周流動的概率，會讓蝕刻液朝下流，因此能夠縮小蝕刻位置不同高度的差異。