一種晶格匹配的硅基GaInNP垂直腔面發(fā)射激光器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011033152.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112152084A 公開(kāi)（公告）日 2020-12-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN112152084A 申請(qǐng)公布日 2020-12-29
分類(lèi)號(hào) H01S5/183;H01S5/187;H01S5/343 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄭君雄;張昭宇;張保平;冉宏宇;王青 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 深圳市中科光芯半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 518000 廣東省深圳市龍崗區(qū)龍城街道華興路26號(hào)天匯大廈9樓903A/905/906號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種晶格匹配的硅基GaInNP垂直腔面發(fā)射激光器，涉及半導(dǎo)體激光器的技術(shù)領(lǐng)域，包括Si襯底，為n型Si單晶片，在Si襯底的上表面按照層狀疊加結(jié)構(gòu)從上至下依次設(shè)置有n型GaNP緩沖層、n型DBR結(jié)構(gòu)層、GaNP/GaInNP/GaNP多量子阱有源區(qū)和p型DBR結(jié)構(gòu)層，在所述Si襯底下表面制備有下電極，在所述p型DBR結(jié)構(gòu)層上表面制備有上電極。本發(fā)明可基于晶硅襯底制備得到激射波長(zhǎng)在730～950nm之間的垂直腔面發(fā)射激光器，可推進(jìn)硅光子集成技術(shù)的發(fā)展，加快垂直腔面發(fā)射激光器的應(yīng)用。