一種原位蒸鍍的弱等離子刻蝕設備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011094851.9 申請日 -
公開（公告）號 CN112103168A 公開（公告）日 2020-12-18
申請公布號 CN112103168A 申請公布日 2020-12-18
分類號 H01J37/32;C23C14/24 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 金炯;李存鑫;王福清 申請（專利權(quán)）人 浙江賽威科光電科技有限公司
代理機構(gòu) 北京沁優(yōu)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 浙江賽威科光電科技有限公司
地址 313000 浙江省湖州市德清縣雷甸鎮(zhèn)白云南路866號9號樓D101室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種原位蒸鍍的弱等離子刻蝕設備，包括刻蝕腔體、弱等離子放射機構(gòu)、真空機構(gòu)、冷阱機構(gòu)、樣品托以及驅(qū)動機構(gòu)，刻蝕腔體連接在拉曼光譜檢測蒸發(fā)室下方，樣品托位于刻蝕腔體內(nèi)，驅(qū)動機構(gòu)驅(qū)動樣品托在豎直方向上運動以使樣品托靠近或遠離拉曼光譜檢測蒸發(fā)室，弱等離子放射機構(gòu)包括導軌、射頻罩、石英玻璃管以及放氣電磁閥組件，石英玻璃管兩端均設有支架，射頻罩內(nèi)包括有纏繞在石英玻璃管上的射頻繞線以及支撐射頻繞線的支撐板，放氣電磁閥組件連接在石英玻璃管一端，放氣電磁閥組件與石英玻璃管以及刻蝕腔體均相通且構(gòu)成一個放射通道，放氣電磁閥組件用于將工藝氣體通入石英玻璃管內(nèi)；本發(fā)明優(yōu)點在于能夠控制刻蝕速度實現(xiàn)原子層厚度。