一種NANDFLASH存儲(chǔ)芯片壞區(qū)檢測管理方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011428749.8 申請日 -
公開（公告）號 CN114627932A 公開（公告）日 2022-06-14
申請公布號 CN114627932A 申請公布日 2022-06-14
分類號 G11C16/04（2006.01）I;G11C16/16（2006.01）I;G11C16/34（2006.01）I;G06F12/0882（2016.01）I 分類 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 胡紅偉;吳智慧;邵星明 申請（專利權(quán)）人 南京長峰航天電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京縱橫知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 210061江蘇省南京市江北新區(qū)星火路14號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種NAND FLASH存儲(chǔ)芯片壞區(qū)檢測管理方法，包括：根據(jù)NAND FLASH存儲(chǔ)芯片的使用狀態(tài)，判斷壞區(qū)的類型；若判斷為固有壞區(qū)，進(jìn)行初始化掃描讀取以記錄當(dāng)前NAND FLASH存儲(chǔ)芯片的所有壞區(qū)地址；若判斷為使用壞區(qū)，進(jìn)行擦除讀取以記錄當(dāng)前NAND FLASH存儲(chǔ)芯片的所有壞區(qū)地址。本發(fā)明對于NAND FLASH的壞區(qū)管理，能夠?qū)崿F(xiàn)新出廠NAND FLASH存儲(chǔ)芯片，以及使用中的NAND FLASH存儲(chǔ)芯片的壞區(qū)檢測，具有通用性，實(shí)用性強(qiáng)的特點(diǎn)，適用于所有NAND FLASH，極大地提升芯片的使用壽命，使得芯片的每一個(gè)存儲(chǔ)區(qū)都能夠得到平均化的使用，提升芯片的抗磨損度。