一種摻雜裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122002055.4 申請日 -
公開（公告）號 CN216074099U 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN216074099U 申請公布日 2022-03-18
分類號 C30B31/16（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 侯明超;周宏邦;賈海洋;王淼;張強(qiáng);孔凱斌;劉偉;婁中士;王立剛 申請（專利權(quán)）人 內(nèi)蒙古中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津諾德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 欒志超
地址 010070內(nèi)蒙古自治區(qū)呼和浩特市賽罕區(qū)寶力爾街15號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種摻雜裝置，包括：盛放固態(tài)摻雜劑的承載倉和與所述承載倉一體連接設(shè)置的導(dǎo)流倉，所述承載倉下端內(nèi)壁為弧形面，可使氣化后的摻雜劑沿其內(nèi)壁統(tǒng)一進(jìn)入所述導(dǎo)流倉中逐次向熔硅液擴(kuò)散，以使摻雜劑完全與熔硅液混合。本實(shí)用新型的摻雜裝置，結(jié)構(gòu)設(shè)計簡單，弧形結(jié)構(gòu)的承載倉有利于摻雜劑向下分流擴(kuò)散，且不會留死角；更有利于摻雜劑階梯性地朝同一個向下的方向擴(kuò)散留出進(jìn)入熔硅液內(nèi)；只有一個通孔的結(jié)構(gòu)可使摻雜劑分層次地向熔硅液擴(kuò)散，使摻雜劑逐步充分地與熔硅液混合，提高其溶解率，降低電阻率。