一種單晶硅快速退火輔助降溫裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202122002212.1 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN216074100U 公開(公告)日 2022-03-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN216074100U 申請(qǐng)公布日 2022-03-18
分類號(hào) C30B33/02(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 馬飛;婁中士;李鵬飛;張凈源;閆鵬飛;袁長宏;周宏邦;賈海洋;張強(qiáng);王淼;張恒 申請(qǐng)(專利權(quán))人 內(nèi)蒙古中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津諾德知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 代理人 欒志超
地址 010070內(nèi)蒙古自治區(qū)呼和浩特市賽罕區(qū)寶力爾街15號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種單晶硅快速退火輔助降溫裝置,包括水平方向設(shè)置的工作臺(tái),用于放置待退火處理的單晶硅;豎直方向上設(shè)置的支撐桿,支撐桿一端設(shè)置于工作臺(tái)上,支撐桿另一端設(shè)置有懸掛桿,懸掛桿為水平方向上設(shè)置,懸掛桿一端與支撐桿連接;懸掛設(shè)置于懸掛桿下方的主風(fēng)扇,用于向工作臺(tái)提供風(fēng)冷,輔助單晶硅快速退火降溫。本實(shí)用新型解決了目前現(xiàn)有技術(shù)由于RTP設(shè)備自身的限制,處理結(jié)束后,單晶硅自然降溫速率較低,降溫慢,無法滿足實(shí)際生產(chǎn)需求,影響生產(chǎn)效率的問題;提供一種單晶硅快速退火輔助降溫裝置,該輔助降溫裝置可以對(duì)經(jīng)過RTP處理后的單晶硅樣品進(jìn)行快速冷卻,可以顯著增加單晶硅的退火降溫效率,提高生產(chǎn)效率。