一種降低直拉單晶氧、碳含量的排氣裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202022410624.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN213866490U 公開（公告）日 2021-08-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN213866490U 申請(qǐng)公布日 2021-08-03
分類號(hào) C30B15/00（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 孔凱斌;郝朝旭;侯明超;王淼;張強(qiáng);郝小龍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 內(nèi)蒙古中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津諾德知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 欒志超
地址 010070內(nèi)蒙古自治區(qū)呼和浩特市賽罕區(qū)寶力爾街15號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種降低直拉單晶氧、碳含量的排氣裝置，包括：排氣孔和排氣管，所述排氣孔設(shè)置在單晶爐上，與所述單晶爐成一定角度，用于連接所述排氣管；所述排氣管通過所述排氣孔連通所述單晶爐內(nèi)部，與所述單晶爐成一定角度設(shè)置，用于排出所述單晶爐內(nèi)的氣體。本實(shí)用新型的有益效果是有效的解決直拉單晶爐內(nèi)氣體流動(dòng)時(shí)上爐蓋拱形位置容易形成局部渦流，負(fù)壓較低，導(dǎo)致排氣效率降低，可能引起雜質(zhì)聚集，導(dǎo)致碳高或氧高的問題。