一種改善直拉半導體拉晶后氧化的結(jié)構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022412802.7 申請日 -
公開（公告）號 CN213866491U 公開（公告）日 2021-08-03
申請公布號 CN213866491U 申請公布日 2021-08-03
分類號 C30B15/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 張慶虎;李仕權;周宏邦;王淼;張強;劉偉;王立剛;李成 申請（專利權）人 內(nèi)蒙古中環(huán)領先半導體材料有限公司
代理機構 天津諾德知識產(chǎn)權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 欒志超
地址 010070內(nèi)蒙古自治區(qū)呼和浩特市賽罕區(qū)寶力爾街15號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種改善直拉半導體拉晶后氧化的結(jié)構，包括：氧化閥、爐體和真空泵，其特征在于：所述爐體、所述氧化閥和所述真空泵依次連接。本實用新型的有益效果是通過優(yōu)化氧化工藝，氧化過程允許空氣直接進入管道，避免大量的氧與高溫狀態(tài)的熱場件接觸，增加熱場件的使用壽命。同時結(jié)構簡單，維修方便，加工成本低、效果明顯，大大降低了熱場的腐蝕程度。