溝槽型MOS結(jié)構(gòu)肖特基二極管及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811224311.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111081754A 公開(kāi)（公告）日 2020-04-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN111081754A 申請(qǐng)公布日 2020-04-28
分類號(hào) H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王艷春;周亮 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 寧波比亞迪半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 寧波比亞迪半導(dǎo)體有限公司
地址 315800 浙江省寧波市保稅區(qū)南區(qū)廬山西路155號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了溝槽型MOS結(jié)構(gòu)肖特基二極管及其制備方法。所述溝槽型MOS結(jié)構(gòu)肖特基二極管包括N型摻雜襯底、設(shè)置在所述N型摻雜襯底上表面上的N型摻雜外延層和從所述N型摻雜外延層的上表面向所述N型摻雜外延層中延伸的多個(gè)溝槽，其中，所述N型摻雜外延層中的摻雜濃度由上至下逐漸升高。由此，通過(guò)改變肖特基二極管中N型摻雜外延層的雜質(zhì)摻雜濃度(N型摻雜外延層中的摻雜濃度由上至下逐漸升高)，可以改變N型摻雜外延層電場(chǎng)強(qiáng)度分布，進(jìn)而降低溝槽底部拐角處的峰值電場(chǎng)，達(dá)到改善肖特基二極管的反向阻斷特性和器件的正向?qū)ㄌ匦?，即降低肖特基二極管的反向漏電流，升高反向擊穿電壓。