快恢復(fù)二極管及制備方法、電子設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710462474.1 申請日 -
公開（公告）號 CN109148605B 公開（公告）日 2022-02-18
申請公布號 CN109148605B 申請公布日 2022-02-18
分類號 H01L29/868（2006.01）I;H01L29/47（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I;CN 104716038 A,2015.06.17;CN 101789400 A,2010.07.28;CN 103904135 A,2014.07.02;CN 106558623 A,2017.04.05;CN 103178095 A,2013.06.26;CN 105826399 A,2016.08.03;CN 101540283 A,2009.09.23;CN 103887346 A,2014.06.25;CN 105489658 A,2016.04.13;CN 103180961 A,2013.06.26;CN 1172351 A,1998.02.04;CN 105762174 A,2016.07.13;CN 105489639 A,2016.04.13;DE 102014118874 A1,2016.06.23;CN 103681786 A,2014.03.26;US 5278443 A,1994.01.11;US 2011175106 A1,2011.07.21 張海濤;張斌..大功率快速軟恢復(fù)二極管概述.《半導(dǎo)體情報》.2001,1-9.;王智.快恢復(fù)二極管的研究.《中國優(yōu)秀碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 信息科技輯》.2013,5-50.;王艷春.基于PLC的變頻器調(diào)速系統(tǒng)設(shè)計.《中國優(yōu)秀碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 工程科技Ⅱ輯》.2011,6-30.;Amemiya, Y.;Mizushima, Y..Bipolar-mode Schottky contact and applications to high-speed diodes.《IEEE Transactions on Electron Devices》.1984,35-42.;張玉明;牛新軍;張義門..SiC和Si混合PiN/Schottky二極管的模擬和設(shè)計.《電力電子技術(shù)》.2002,56-59.;Zhou, L;Zhang, S;Yin, WY;and et al..Immunity Analysis and Experimental Investigation of a Low-Noise Amplifier Using a Transient Voltage Suppressor Diode Under Direct Current Injection of HPM Pulses.《IEEE TRANSACTIONS ON ELECTROMAGNETIC COMPATIBILITY》.2014,1715-1718.;Huang, YR;Wachutka, G..Comparative Study of Contact Topographies of 4.5kV SiC MPS Diodes for Optimizing the Forward Characteristics.《2016 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES （SISPAD）》.2016,117-120. 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王艷春;周亮 申請（專利權(quán)）人 寧波比亞迪半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 深圳眾鼎專利商標代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 吳英銘
地址 518119 廣東省深圳市大鵬新區(qū)葵涌街道延安路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了快恢復(fù)二極管及制備方法、電子設(shè)備。該快恢復(fù)二極管包括：襯底，所述襯底中形成有歐姆接觸區(qū)；外延層，所述外延層設(shè)置在所述襯底上；離子摻雜區(qū)，所述離子摻雜區(qū)設(shè)置在所述外延層中遠離所述襯底的一側(cè)；第一金屬區(qū)，所述第一金屬區(qū)設(shè)置在所述外延層中，且所述第一金屬區(qū)與所述離子摻雜區(qū)相鄰設(shè)置，所述第一金屬區(qū)與所述外延層之間形成肖特基接觸；第一電極，所述第一電極設(shè)置在所述外延層遠離所述襯底一側(cè)的表面上；以及第二電極，所述第二電極設(shè)置在所述襯底遠離所述外延層的一側(cè)。由此，可以使該快恢復(fù)二極管具有較快的反向恢復(fù)時間、較小的正向?qū)▔航狄约拜^大的恢復(fù)軟度。