在硅基體中蝕刻溝槽的方法及其應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811456891.6 申請日 -
公開（公告）號 CN111261509A 公開（公告）日 2020-06-09
申請公布號 CN111261509A 申請公布日 2020-06-09
分類號 H01L21/3065(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 錢煒彬 申請（專利權(quán)）人 寧波比亞迪半導體有限公司
代理機構(gòu) 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 寧波比亞迪半導體有限公司
地址 315800浙江省寧波市保稅區(qū)南區(qū)廬山西路155號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了在硅基體中蝕刻溝槽的方法及其應(yīng)用。該在硅基體中蝕刻溝槽的方法包括：在硅基體的上表面上形成保護圖案；利用干法蝕刻對所述硅基體未被所述保護圖案覆蓋的上表面進行蝕刻，其中，所述干法蝕刻采用的蝕刻混合氣體中含有氯氣、溴化氫和氦氧氣體。該方法操作簡單、方便，容易實現(xiàn)，易于工業(yè)化生產(chǎn)，在實現(xiàn)較窄的溝槽寬度時也可以得到需求的溝槽深度，所形成的溝槽接近垂直、無損傷、平坦光滑，且縱橫比高。??