光電二極管及其制造工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201711192894.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109841701B 公開（公告）日 2021-09-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN109841701B 申請(qǐng)公布日 2021-09-10
分類號(hào) H01L31/103;H01L31/0352;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉東慶 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 寧波比亞迪半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳眾鼎專利商標(biāo)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 譚果林
地址 518119 廣東省深圳市大鵬新區(qū)葵涌街道延安路1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了光電二極管，包括耗盡層、陽(yáng)極金屬，及順序設(shè)置的陰極金屬、N型摻雜陰極區(qū)、P型摻雜陽(yáng)極區(qū)和絕緣層；陰極金屬、N型摻雜陰極區(qū)和P型摻雜陽(yáng)極區(qū)電性導(dǎo)通，耗盡層封閉于N型摻雜陰極區(qū)與P型摻雜陽(yáng)極區(qū)之間，陽(yáng)極金屬的一端穿過(guò)絕緣層并與P型摻雜陽(yáng)極區(qū)電性導(dǎo)通。還提供了光電二極管的制造工藝：在N型摻雜陰極區(qū)上外延生長(zhǎng)出感光區(qū)；在感光區(qū)的上外延生長(zhǎng)出P型摻雜陽(yáng)極區(qū)；在P型摻雜陽(yáng)極區(qū)上生長(zhǎng)出絕緣層；在絕緣層上的接觸窗口處沉積陽(yáng)極金屬，在N型摻雜陰極區(qū)背離P型摻雜陽(yáng)極區(qū)的一側(cè)沉積陰極金屬；耗盡感光區(qū)形成耗盡層。P型摻雜陽(yáng)極區(qū)和N型摻雜陰極區(qū)封閉耗盡層，避免耗盡層外露，有效消除表面漏電，明顯增加信噪比。