一種反應(yīng)室分布式石英星盤陣列粗糙度控制的裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021612076.7 申請日 -
公開（公告）號 CN212713744U 公開（公告）日 2021-03-16
申請公布號 CN212713744U 申請公布日 2021-03-16
分類號 C23C16/44(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 劉燁 申請（專利權(quán)）人 陜西宇騰電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 710000陜西省西安市雁塔區(qū)長安南路農(nóng)林壹號小區(qū)1號樓1單元1902
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種反應(yīng)室分布式石英星盤陣列粗糙度控制的裝置，包括石英星盤，所述石英星盤的中部開設(shè)有圓孔，所述石英星盤的四周開設(shè)有多個(gè)弧口。本實(shí)用新型石英星盤上設(shè)有的弧口與石墨貼合，MOCVD工藝在基板表面形成薄膜的同時(shí)，不會在反應(yīng)腔體內(nèi)形成殘余沉積物，同時(shí)基板表面也不會產(chǎn)生缺陷，大大提高半導(dǎo)體的電學(xué)性能。??