一種薄膜電晶體電特性優(yōu)化方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110563881.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113355745A 公開（公告）日 2021-09-07
申請公布號 CN113355745A 申請公布日 2021-09-07
分類號 C30B25/16;C30B29/38;H01L21/66 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 林立騰 申請（專利權(quán)）人 陜西宇騰電子科技有限公司
代理機構(gòu) 成都弘毅天承知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 沈穎
地址 710061 陜西省西安市雁塔區(qū)長安南路農(nóng)林壹號小區(qū)一號樓一單元1901室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種薄膜電晶體電特性優(yōu)化方法，先進行基板清洗和潔凈度檢測，然后采用高低DR結(jié)構(gòu)進行SiNx薄膜沉積并完成薄膜電晶體樣本制作，然后薄膜電晶體樣本的電特性量測，最后根據(jù)電特性篩選最優(yōu)樣本參數(shù)組合，即最優(yōu)的加工沉積速率與薄膜厚度值組合；本發(fā)明在不影響產(chǎn)能的基礎(chǔ)上，通過將薄膜沉積設(shè)定為High Depo Rate與Low Depo Rate組合的方式，在Low Depo Rate的情況下減小SiNx的厚度以增加開態(tài)電流且不會同時增加關(guān)態(tài)電流，調(diào)整優(yōu)化SiNx薄膜中高沉積速率沉積膜厚與低沉積速率沉積膜厚容載比，實現(xiàn)獲取最優(yōu)加工參數(shù)組合，提升薄膜電晶體電氣性能的效果。