一種低電容高壓放電管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011370830.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113161427A 公開（公告）日 2021-07-23
申請公布號 CN113161427A 申請公布日 2021-07-23
分類號 H01L29/87;H01L29/06;H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王凱健;柯亞威;張鵬;周健 申請（專利權）人 江蘇吉萊微電子股份有限公司
代理機構 南京正聯(lián)知識產權代理有限公司 代理人 盧海洋
地址 226200 江蘇省南通市啟東市匯龍鎮(zhèn)牡丹江西路1800號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種低電容高壓放電管，N型硅片兩面設有N+隔離區(qū)，N型硅片兩面設有P?BASE區(qū)，N型硅片和P?BASE區(qū)上有P++區(qū)，P?BASE區(qū)上方P++區(qū)和N+隔離區(qū)之間有P?BASE區(qū)中N+區(qū)，N型硅片兩面兩邊上設有玻璃鈍化層，并在玻璃鈍化層上濕法腐蝕出溝槽，N型硅片上的P?BASE區(qū)上沉淀有金屬層，金屬層兩側的P?BASE區(qū)設有氧化層和LTO層。步驟：1）選擇N型硅片；2）氧化；3）N+隔離區(qū)；4）形成P++肼區(qū)；5）形成P?BASE區(qū)；6）進行P?BASE區(qū)中N+區(qū)光刻；7）臺面光刻，腐蝕出溝槽；8）硼磷硅玻璃鈍化、接觸孔刻蝕；9）LTO層，沉積2000?8000?的LTO層；10）形成電極，形成金屬層；11）合金。通過橫向側腐，減小了N+隔離區(qū)處的PN結橫截面積，從而減小了電容值，有效降低了器件的殘壓，降低電容值。