一種單向浪涌增強型半導體放電管芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022791091.9 申請日 -
公開（公告）號 CN213692059U 公開（公告）日 2021-07-13
申請公布號 CN213692059U 申請公布日 2021-07-13
分類號 H01L29/06;H01L29/74 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 柯亞威;王凱健;張鵬;劉志雄 申請（專利權）人 江蘇吉萊微電子股份有限公司
代理機構 南京正聯知識產權代理有限公司 代理人 盧海洋
地址 226200 江蘇省南通市啟東市匯龍鎮(zhèn)公園北路1261號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種單向浪涌增強型半導體放電管芯片，包括N型硅片，N型硅片有正面N+區(qū)，N型硅片正面有正面P?BASE區(qū)，正面P?BASE區(qū)內光刻有N+區(qū)，N型硅片背面有背面P?BASE區(qū)和背面P+深結區(qū),背面P+深結區(qū)位于背面P?BASE區(qū)的上方，N型硅片的頂部和底部的四周設有上下對稱的環(huán)狀鈍化溝槽，溝槽內設有玻璃鈍化層，N型硅片的表面生長有氧化層，氧化層間隙刻蝕有電極。本實用新型在芯片背面引入P+深結區(qū)，減短了電流回路的距離，增強器件電流泄放能力。同時，在芯片正面設置多個正面N+區(qū)，正面P?BASE區(qū)內的N+區(qū)采用多元胞結構，避免了電流集密度中，有效增強了器件電流泄放能力，從而提高了器件抗浪涌沖擊能力。