一種鎵硼同步擴(kuò)散工藝臺(tái)面結(jié)構(gòu)晶閘管芯片及其制作工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810508350.7 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN108831921A 公開（公告）日 2018-11-16
申請公布號(hào) CN108831921A 申請公布日 2018-11-16
分類號(hào) H01L29/74;H01L29/06;H01L21/332 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 宋銳;周健;候云娣 申請（專利權(quán)）人 江蘇吉萊微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 盧海洋
地址 226200 江蘇省南通市啟東市匯龍鎮(zhèn)牡丹江西路1800號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種鎵硼同步擴(kuò)散工藝臺(tái)面結(jié)構(gòu)晶閘管芯片及其制作工藝，芯片包括從上往下依次設(shè)置的N+型陰極區(qū)1、正面P型短基區(qū)、硅單晶片、背面P型區(qū)，芯片兩端設(shè)置對通隔離擴(kuò)散區(qū)，芯片正面表面設(shè)有SiO2保護(hù)膜，背面表面設(shè)有金屬電極，芯片正面的正面P型短基區(qū)內(nèi)設(shè)有正面溝槽，背面在對通隔離擴(kuò)散區(qū)設(shè)有背面應(yīng)力平衡槽，正面溝槽之間設(shè)有門極鋁電極、陰極鋁電極，正面P型短基區(qū)內(nèi)陰極鋁電極下方設(shè)有N+型陰極區(qū)，本發(fā)明利用鎵擴(kuò)散系數(shù)比硼擴(kuò)散系數(shù)大的特點(diǎn)，采取鎵硼同擴(kuò)工藝，即可獲得較低的體內(nèi)濃度、較低的電容，使擊穿電壓VBR與導(dǎo)通電壓VBO極為接近，又可獲得較高的表面濃度與短基區(qū)橫向電阻，同時(shí)擴(kuò)散時(shí)間較短，節(jié)約了生產(chǎn)成本。