一種低電容保護(hù)器件及其制作方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011367706.3 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN112331647A | 公開(公告)日 | 2021-02-05 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN112331647A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-02-05 |
分類號(hào) | H01L27/02;H01L29/06 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 許志峰;宋文龍;張鵬;劉志雄 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 江蘇吉萊微電子股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 盧海洋 |
地址 | 226200 江蘇省南通市匯龍鎮(zhèn)公園北路1261號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種低電容保護(hù)器件及其制作方法,該器件包括P型襯底材料(101),P型襯底材料(101)上設(shè)置P型外延層(102);P型外延層(102)上設(shè)置P型埋層(103)和介質(zhì)層(104);P型埋層(103)上設(shè)置N型擴(kuò)散區(qū)(105);介質(zhì)層(104)和N型擴(kuò)散區(qū)(105)上設(shè)置隔離介質(zhì)層(106);隔離介質(zhì)層(106)兩側(cè)分別設(shè)置金屬區(qū)一(107)、金屬區(qū)二(108)。本發(fā)明能夠降低電容,得到更低的箝位電壓。 |
