新型臺(tái)面結(jié)構(gòu)芯片結(jié)構(gòu)及PN終端面玻璃鈍化制作工藝
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011368061.5 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN112366229A | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-02-12 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN112366229A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-02-12 |
分類號(hào) | H01L29/74;H01L23/29;H01L21/332;H01L21/56;C25D13/12 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 許志峰;李超;張鵬;周健 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 江蘇吉萊微電子股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 盧海洋 |
地址 | 226200 江蘇省南通市啟東市匯龍鎮(zhèn)公園北路1261號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種新型臺(tái)面結(jié)構(gòu)芯片結(jié)構(gòu)及PN終端面玻璃鈍化制作工藝,本發(fā)明臺(tái)面結(jié)構(gòu)芯片PN終端面經(jīng)過(guò)腐蝕成型后既可以直接在硅基表面采用智能電泳法、形成玻璃層,特別地在硅基表面通過(guò)LPCVD方法生長(zhǎng)SIPOS膜后,在半絕緣多晶SIPOS膜層上,通過(guò)電泳液配比研究,確定獨(dú)特的電泳液配方,在電泳工藝過(guò)程中采用動(dòng)態(tài)智能監(jiān)控軟件系統(tǒng),具有實(shí)時(shí)監(jiān)控、異常告警、儲(chǔ)存追溯特點(diǎn)。高溫?zé)Y(jié)形成均勻、致密、透明的玻璃膜。采用上述方案形成的芯片PN終端面結(jié)構(gòu)芯片,具有擊穿耐壓高、高溫漏電小,可靠性高特征。 |
