具有低電容低殘壓的晶閘管浪涌抑制器及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011422784.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112331717A 公開（公告）日 2021-02-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN112331717A 申請(qǐng)公布日 2021-02-05
分類號(hào) H01L29/74;H01L21/332 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李超;張鵬;周健;劉志雄 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇吉萊微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 盧海洋
地址 226200 江蘇省南通市啟東市匯龍鎮(zhèn)公園北路1261號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種同時(shí)具有低電容和低殘壓特性的晶閘管浪涌抑制器，包括P型硅片，其制作方法主要包括：P型襯底準(zhǔn)備——氧化層生長——N+區(qū)光刻，預(yù)擴(kuò)散再分布——P型襯底中P+區(qū)光刻，預(yù)擴(kuò)散再分布——P型襯底中N?BASE區(qū)預(yù)擴(kuò)散再分布——N?BASE區(qū)中N++光刻，擴(kuò)散——N?BASE區(qū)中P++光刻，擴(kuò)散——芯片邊緣溝槽光刻、刻蝕——溝槽鈍化——接觸孔光刻、刻蝕——金屬鍍膜、光刻、刻蝕——合金、退火等。本發(fā)明通過體內(nèi)電場的優(yōu)化，設(shè)計(jì)出同時(shí)具有低電容和低殘壓特性的晶閘管浪涌抑制器。