一種微透鏡陣列及其制備方法、垂直腔面發(fā)射激光器結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110756538.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113484940A 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號 CN113484940A 申請公布日 2021-10-08
分類號 G02B3/00（2006.01）I;H01S5/02（2006.01）I;H01S5/183（2006.01）I 分類 光學(xué);
發(fā)明人 苗霈;劉恒;王俊;劉暢;肖垚;谷飛 申請（專利權(quán)）人 蘇州長光華芯光電技術(shù)股份有限公司
代理機構(gòu) 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李靜玉
地址 215000江蘇省蘇州市高新區(qū)昆侖山路189號科技城工業(yè)坊-A區(qū)2號廠房-1-102、2號廠房-2-203
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種微透鏡陣列及其制備方法、垂直腔面發(fā)射激光器結(jié)構(gòu)，方法包括：在襯底的第一表面形成微透鏡形狀的光刻膠掩膜；基于刻蝕氣體和鈍化氣體，采用干法刻蝕工藝對光刻膠掩膜和襯底進行刻蝕，使得襯底形成預(yù)設(shè)形狀的微透鏡陣列，在進行干法刻蝕的過程中，調(diào)節(jié)鈍化氣體的比例，使得刻蝕的選擇比比值逐漸減小。通過實施本發(fā)明，在襯底上形成光刻膠掩膜，并對光刻膠掩膜和襯底進行干法刻蝕得到微透鏡陣列；在干法刻蝕的過程中，加入鈍化氣體改變干法刻蝕的選擇比，同時，在干法刻蝕的過程中，通過調(diào)整鈍化氣體的比例，使得刻蝕的選擇比逐漸減小，即采用分步刻蝕的方式，每步采用不同的選擇比，最終得到具有較好準(zhǔn)直效果的高質(zhì)量微透鏡陣列。